据《DealSite》报道，三星电子正加快导入10 纳米级第六代（1c）DRAM 装备，方针于来岁初启动HBM4 量产，努力追逐已经率先与英伟达签订供给合约并进入量产阶段的SK 海力士。
业界动静指出，三星近期已经于平泽园区（Pyeongtaek）完成第二厂（P2）1c DRAM 装备建置，并同步在第三厂（P3）与第四厂（P4）导入新装备，踊跃扩充进步前辈制程产能。
三星估计在本月完成终极客户样品（Customer Sample，CS）的内部靠得住度测试（PRA），随后将样品送交英伟达举行GPU 整合验证。若进展顺遂，产物有望在来岁下半年正式出货。公司内部人士吐露，CS 测试竣事后，英伟达将睁开为期约四个月的GPU 验证流程，完成终极认证后，三星可望在来岁初最先分配量产定单。
三星原先于平泽第二厂（P2）与第三厂（P3）重要出产前一世代DRAM 产物，但跟着市场需求转向高效能与高频宽运用，公司最近慢慢减产旧制程芯片，并将部门产线革新为最新的1c 制程。这项革新工程透过进级既有厂房与装备，让旧产线能出产新一代影象体芯片。
今朝，HBM4 的焦点出产据点第四厂（P4）预定在来岁启动；主晶圆厂PH1 已经同时运作NAND 与1c DRAM 产线，PH3 自6 月起导入新装备，PH4 正于设置装备摆设阶段，PH2 则估计于年末或者来岁初动工。
只管1c 制程开发进展不变，但量产良率仍是三星面对的最年夜挑战。据业界人士吐露，今朝以1c 制程出产的HBM4 样品良率约为50%，还没有到达量产门坎。因为HBM4 采用多层重叠布局，晶粒面积较前代HBM3E 更年夜，统一晶圆可孕育发生的良品数目相对于削减，也使良率晋升速率迟缓。
三星为此同步强化后段封装流程，并与韩美半导体（Hanmi Semiconductor）睁开互助，以不变重叠精度与总体制程品质。阐发指出，若能将HBM4 晶圆良率提高至70% 以上，将具有转入量产的前提。
业界遍及认为，三星此举与英伟达来岁下半年推出的次世代AI 加快器Rubin 时程紧密亲密呼应。考量SK 海力士已经在9 月公布完成HBM4 量产系统，三星的装备导入与产线革新已经进入末了阶段，但可否于短时间内到达不变良率，仍需不雅察。
-海德官方