宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025 年 10 月 16 日 ——iDEAL Semiconductor 公布推出其 SuperQ™ 150V MOSFET 系列，该系列现已经量产，并提供多种业界尺度封装的样品。
这款新器件延续了 iDEAL SuperQ 架构的机能领先上风，实现了导通电阻（RDS (on)）的创纪录低值，同时保留了硅质料于成本、可制造性及靠得住性方面的上风。
SuperQ 150V 系列包罗多款机能优化器件，此中包括：
型号 iS15M7R1S1C，导通电阻最年夜值为 6.4 毫欧，采用紧凑型 PDFN 5×6 毫米封装。型号 iS15M2R5S1T 系列，导通电阻最年夜值为 2.5 毫欧，提供 TOLL、D2PAK-7L 及 TOLT 封装。iS15M2R5S1T 拥有业界顶尖的低电阻特征，比次优竞争敌手低 36%。
其他版本也已经开放样品申请，包括：
导通电阻 5.5 毫欧的 MOSFET，采用 PDFN 5×6 毫米封装。导通电阻 8.8 毫欧的 MOSFET，提供 TO-220 及 PDFN 5×6 毫米两种版本。
该系列的方针运用包括机电驱动、电池掩护电路、人工智能办事器及开关模式电源。这些市场均对于超低传导损耗、高靠得住性及可扩大的硅制造工艺有明确需求。
iDEAL Semiconductor 首席履行官兼结合开创人马克・格拉纳汉（Mark Granahan）暗示：“咱们的 150V SuperQ MOSFET 从头界说了硅质料的机能极限，实现了此前被认为没法告竣的技能冲破。” 他增补道：“咱们依托硅质料久经磨练的靠得住性、可制造性及成本上风，打造出高机能产物。这些器件为工业、汽车及数据中央运用斥地了全新的设计可能。”
所有 SuperQ 150V 器件均采用即插即用的业界尺度封装，包括 TOLL、TOLT、D2PAK-7L、TO-220 及 PDFN 5×6 毫米。
该新系列将插手 iDEAL 已经量产的 200V SuperQ 产物线，同时公司正于开发 250V 至 650V 平台，以将硅质料的运用规模拓展至更高电压范畴。
关在 iDEAL Semiconductor
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是业界领先的下一代硅功率器件开发商。公司的任务是鞭策硅质料冲破其公认的机能极限。其专利 SuperQ 技能基在传统 CMOS 工艺，实现了冲破性的能效晋升，同时未抛却硅质料颠末验证的焦点上风。该平台技能合用在广泛的产物、运用场景及半导体质料，专为降低各种运用中的功率损耗而设计，将为下一代产物带来更绿色的能源利用方式。iDEAL 总部位在宾夕法尼亚州利哈伊谷，如需相识更多信息，请拜候 www.idealsemi.com。
媒体接洽人E妹妹a Jenkins
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